Microchip lança família de dispositivos SiC

Com o anúncio da aquisição da Microsemi, a Microchip passará a oferecer uma nova família de módulos de potência SiC. Inicialmente, serão produzidas famílias de produtos de 700V MOSFETs, 700V e 1200V Schottky Barrier Diodes, voltadas para veículos elétricos e aplicações de alta potência nos mercados industrial, aeroespecial e de defesa.

Os componentes discretos e os módulos de potência então disponíveis em diferentes valores de corrente, tensão e tipos de encapsulamento. Eles são destinados a projetos como estações externas de carregamento, carregadores de bordo, conversores DC-DC e controladores de transmissão / tração.

Os MOSFETs e os Schottiky barrier diodes (SBD) SiC oferecem comutação mais eficiente em altas freqüências e passam por testes de robustez em níveis considerados críticos, para garantir a confiabilidade. Segundo a Microchip seus SiC MOSFETs também superaram seus concorrentes em testes de robustez, demonstrando uma excelente blindagem do óxido de porta e integridade do canal, com pouca degradação da vida útil, mesmo após 100.000 ciclos repetitivos de testes UIS (RUIS).

Os dispositivos SiC são suportados pela prática de obsolescência orientada ao cliente Microchip, que garante que os dispositivos continuarão a ser produzidos pelo tempo que os clientes precisarem deles.

Os MOSFETs SiC de última geração da empresa e os Schottky Barrier Diodes SiC (SBDs) são projetados com alta capacidade de chaveamento indutivo ilimitado (UIS), e seus MOSFET SiC mantêm alta capacidade de UIS a aproximadamente 10-15 Joule por centímetro quadrado e uma proteção robusta contra curto circuito de 3 à 5 milissegundos. Os SiC SBDs da empresa são projetados com valores balanceados de corrente de surto, tensão direta, resistências e capacitâncias térmicas, para valores baixos de corrente reversa, com a finalidade de diminuir as perdas por chaveamento. Além disso, os die SiC MOSFETs e SiC SBDs podem ser associados para serem usados em módulos.

EV Charging block diagram

Os MOSFETs SiC de 700V e os Schottky Barrier Diodes SiC de 700V e 1200V passam a integrar o portfólio de módulos de potência SiC Microchip.

O portfólio expandido é suportado por uma série do modelos SPICE, designs de referência para placas Driver SiC e retificadores de Vienna com PFC. Todos os dispositivos de energia SiC da empresa estão disponíveis em volumes de produção junto com suas ofertas de suporte associadas. Uma variedade de opções de die e encapsulamentos estão disponíveis para os MOSFETs e diodos SiC.

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